INFINEON

Транзистор IMYR140R008M2HXLSA1

TO247-4Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: CoolSiC™, SiC
Drain-source voltage: 1.4 kV
Drain current: 207 A
Рассеиваемая мощность: 710 W
Корпус: TO247-4

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IMYR140R008M2HXLSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	CoolSiC™, SiC
Drain-source voltage	1.4 kV
Drain current	207 A
Рассеиваемая мощность	710 W
Корпус	TO247-4
Gate-source voltage	-7...23 V
On-state resistance	8.5 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	203nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.4kV; 207A; 710W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.