Антава

INFINEON

Транзистор IMYR140R006M2HXLSA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Drain-source voltage
1.4 kV
Drain current
246 A
Рассеиваемая мощность
974 W
Корпус
TO247-4

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 880 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%9 674,48 ₽

Сумма · с НДС 22%2 321 875,20 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 2409 674,48 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMYR140R006M2HXLSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Drain-source voltage1.4 kV
Drain current246 A
Рассеиваемая мощность974 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-7...23 V
On-state resistance5.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.4kV; 246A; 974W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.