Антава

INFINEON

Транзистор IMW65R072M1HXKSA1

IMW65R072M1HXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
69 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMW65R072M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current18 A
Pulsed drain current69 A
Рассеиваемая мощность96 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-5...23 V
On-state resistance94 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.