Антава

INFINEON

Транзистор IMW120R140M1HXKSA1

IMW120R140M1HXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
13 A
Pulsed drain current
32 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMW120R140M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current13 A
Pulsed drain current32 A
Рассеиваемая мощность47 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-7...23 V
On-state resistance265 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.