Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IMW120R060M1HXKSA1

IMW120R060M1HXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
26A
Pulsed drain current
76A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIMW120R060M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current26A
Pulsed drain current76A
Power dissipation75W
КорпусTO247
Gate-source voltage-7...23V
On-state resistance113mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.