Антава

INFINEON

Транзистор IMW120R045M1XKSA1

IMW120R045M1XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
36 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMW120R045M1XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current36 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation114 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-10...20 V
On-state resistance59 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W

Документация

Документы пока не предоставлены.