Антава

INFINEON

Транзистор IMW120R020M1HXKSA1

IMW120R020M1HXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
71 A
Pulsed drain current
213 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMW120R020M1HXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current71 A
Pulsed drain current213 A
Рассеиваемая мощность188 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-7...20 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W

Документация

Документ производителя