Антава

ONSEMI

Транзистор IMD10AMT1G

Фото уточняется
Type of transistor
NPN / PNP
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT, complementary pair
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.1 A
Power dissipation
285 mW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIMD10AMT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN / PNP
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT, complementary pair
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.1 A
Power dissipation285 mW
КорпусSC74R
Current gain68...600
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor13/0.13 kΩ
Base-emitter resistor10 kΩ
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V

Документация

Документы пока не предоставлены.