Антава

INFINEON

Транзистор IMCQ120R034M2HXTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
64 A
Рассеиваемая мощность
326 W
Gate-source voltage
-7...23 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 250 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 435,77 ₽

Сумма · с НДС 22%1 076 827,50 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 7501 435,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMCQ120R034M2HXTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current64 A
Рассеиваемая мощность326 W
Gate-source voltage-7...23 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48.7nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 64A; 326W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.