Антава

INFINEON

Транзистор IMCQ120R026M2HXTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
82 A
Рассеиваемая мощность
405 W
Монтаж
SMD — поверхностный
Gate charge
63.4nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 250 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 761,54 ₽

Сумма · с НДС 22%1 321 155,00 ₽

От 750 шт. · шаг 750

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 7501 761,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIMCQ120R026M2HXTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current82 A
Рассеиваемая мощность405 W
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63.4nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 82A; 405W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.