Антава

INFINEON

Транзистор IMCQ120R026M2HXTMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
82 A
Рассеиваемая мощность
405 W
Монтаж
SMD — поверхностный
Gate charge
63.4nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIMCQ120R026M2HXTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current82 A
Рассеиваемая мощность405 W
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63.4nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 82A; 405W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.