INFINEON

Транзистор IKZA40N65EH7XKSA1

TO247-4Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Технология: Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage: 650 V
Collector current: 80 A
Рассеиваемая мощность: 210 W
Корпус: TO247-4

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IKZA40N65EH7XKSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	IGBT
Технология	Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage	650 V
Collector current	80 A
Рассеиваемая мощность	210 W
Корпус	TO247-4
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	160 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	81nC

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 210W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.