Антава

INFINEON

Транзистор IKZ75N65EL5XKSA1

IKZ75N65EL5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
100 A
Рассеиваемая мощность
268 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKZ75N65EL5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current100 A
Рассеиваемая мощность268 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge436nC
Kind of packagetube
Turn-on time143ns
Turn-off time325ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4

Документация

Документ производителя