INFINEON

Транзистор IKY120N65EH7XKSA1

TO247-4Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Технология: Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage: 650 V
Collector current: 160 A
Рассеиваемая мощность: 498 W
Корпус: TO247-4

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IKY120N65EH7XKSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	IGBT
Технология	Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage	650 V
Collector current	160 A
Рассеиваемая мощность	498 W
Корпус	TO247-4
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	480 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	244nC
Turn-off switching energy	1.5mJ
Turn-on switching energy	1.7mJ

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.