Антава

INFINEON

Транзистор IKWH75N65EH7XKSA1

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Рассеиваемая мощность
341 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKWH75N65EH7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Рассеиваемая мощность341 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Turn-off switching energy1.4mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 341W; TO247-3; 1.4mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.