INFINEON

Транзистор IKWH100N65EH7XKSA1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Технология: Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage: 650 V
Collector current: 140 A
Power dissipation: 427 W
Корпус: TO247-3

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IKWH100N65EH7XKSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	IGBT
Технология	Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage	650 V
Collector current	140 A
Power dissipation	427 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	400 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	199nC

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 140A; 427W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.