Антава

INFINEON

Транзистор IKW75N65RH5XKSA1

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Рассеиваемая мощность
395 W
Корпус
TO247-3

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIKW75N65RH5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Рассеиваемая мощность395 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±15 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge168nC
Turn-off time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 395W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.