INFINEON
Транзистор IKW60N60H3FKSA1
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- TRENCHSTOP™ 3
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 60 A
- Рассеиваемая мощность
- 416 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 74 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 495,43 ₽
Сумма · с НДС 22%1 495,43 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 495,43 ₽ | |
| от 3 | 1 381,69 ₽ | |
| от 5 | 1 295,92 ₽ | |
| от 10 | 1 156,07 ₽ | |
| от 30 | 926,72 ₽ | |
| от 60 | 840,95 ₽ | |
| от 120 | 824,17 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IKW60N60H3FKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | TRENCHSTOP™ 3 |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 60 A |
| Рассеиваемая мощность | 416 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 180 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 375nC |
| Kind of package | tube |
| Серия | H3 |
| Turn-on time | 64ns |
| Turn-off time | 314ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.