INFINEON

Транзистор IKW50N65ET7XKSA1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Технология: Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage: 650 V
Collector current: 80 A
Рассеиваемая мощность: 273 W
Корпус: TO247-3

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IKW50N65ET7XKSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	IGBT
Технология	Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage	650 V
Collector current	80 A
Рассеиваемая мощность	273 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	150 A
Монтаж	THT — в отверстия
Turn-off time	350ns
Turn-on switching energy	1.2mJ

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.