INFINEON
Транзистор IKW50N60DTPXKSA1
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- TRENCHSTOP™
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 61 A
- Рассеиваемая мощность
- 159.6 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 713 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%764,53 ₽
Сумма · с НДС 22%764,53 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 764,53 ₽ | |
| от 10 | 614,26 ₽ | |
| от 30 | 477,13 ₽ | |
| от 60 | 400,11 ₽ | |
| от 120 | 343,76 ₽ | |
| от 150 | 336,24 ₽ | |
| от 240 | 328,73 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IKW50N60DTPXKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | TRENCHSTOP™ |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 61 A |
| Рассеиваемая мощность | 159.6 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 150 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 249nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 50ns |
| Turn-off time | 233ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.