Антава

INFINEON

Транзистор IKW40N65ES5XKSA1

IKW40N65ES5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKW40N65ES5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge95nC
Kind of packagetube
Turn-on time37ns
Turn-off time153ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3

Документация

Документ производителя