INFINEON
Транзистор IKW40N120T2FKSA1
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- TRENCHSTOP™
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 480 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 127 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 808,73 ₽
Сумма · с НДС 22%1 808,73 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 808,73 ₽ | |
| от 2 | 1 704,52 ₽ | |
| от 3 | 1 626,37 ₽ | |
| от 5 | 1 509,14 ₽ | |
| от 10 | 1 336,08 ₽ | |
| от 20 | 1 172,33 ₽ | |
| от 30 | 1 129,53 ₽ | |
| от 120 | 1 069,98 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IKW40N120T2FKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | TRENCHSTOP™ |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 480 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 165 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 192nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.