INFINEON
Транзистор IKW30N65EL5XKSA1
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- TRENCHSTOP™ 5
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 62 A
- Рассеиваемая мощность
- 114 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 213 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%832,46 ₽
Сумма · с НДС 22%832,46 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 832,46 ₽ | |
| от 2 | 780,21 ₽ | |
| от 10 | 616,24 ₽ | |
| от 20 | 549,57 ₽ | |
| от 30 | 515,33 ₽ | |
| от 120 | 425,24 ₽ | |
| от 240 | 409,02 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IKW30N65EL5XKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | TRENCHSTOP™ 5 |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 62 A |
| Рассеиваемая мощность | 114 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 168nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 44ns |
| Turn-off time | 359ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.