Антава

INFINEON

Транзистор IKW30N60H3FKSA1

IKW30N60H3FKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
94 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKW30N60H3FKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность94 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge165nC
Kind of packagetube
СерияH3
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3

Документация

Документ производителя