Антава

INFINEON

Транзистор IKW15N120H3FKSA1

IKW15N120H3FKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
30 A
Power dissipation
217 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKW15N120H3FKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current30 A
Power dissipation217 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of packagetube
СерияH3
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3

Документация

Документ производителя