Антава

INFINEON

Транзистор IKQ50N120CH3XKSA1

IKQ50N120CH3XKSA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
173 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKQ50N120CH3XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность173 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge235nC
Kind of packagetube
СерияH3
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3

Документация

Документ производителя