INFINEON

Транзистор IKQ100N120CS7XKSA1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Технология: Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 188 A
Рассеиваемая мощность: 824 W
Корпус: TO247-3

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IKQ100N120CS7XKSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	IGBT
Технология	Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	188 A
Рассеиваемая мощность	824 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	300 A
Монтаж	THT — в отверстия
Turn-off time	200ns

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.