Антава

INFINEON

Транзистор IKP39N65ES5XKSA1

IKP39N65ES5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
39 A
Power dissipation
94 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKP39N65ES5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current39 A
Power dissipation94 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 39A; 94W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.