Антава

INFINEON

Транзистор IKFW60N60EH3XKSA1

Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
164 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKFW60N60EH3XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность164 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge290nC
Kind of packagetube
Turn-on time64ns
Turn-off time253ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.