Антава

INFINEON

Транзистор IKD10N60RFATMA1

IKD10N60RFATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
10 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKD10N60RFATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage600 V
Collector current10 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time27ns
Turn-off time186ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK

Документация

Документ производителя