Антава

INFINEON

Транзистор IKD10N60RC2ATMA1

IKD10N60RC2ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
18.8 A
Рассеиваемая мощность
79 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKD10N60RC2ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage600 V
Collector current18.8 A
Рассеиваемая мощность79 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Turn-off time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 18.8A; 79W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.