Антава

INFINEON

Транзистор IKD06N60RFATMA1

IKD06N60RFATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
6 A
Рассеиваемая мощность
100 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKD06N60RFATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage600 V
Collector current6 A
Рассеиваемая мощность100 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current18 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time15ns
Turn-off time128ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK

Документация

Документ производителя