Антава

INFINEON

Транзистор IKD06N60RC2ATMA1

IKD06N60RC2ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
11.7 A
Power dissipation
51.7 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKD06N60RC2ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage600 V
Collector current11.7 A
Power dissipation51.7 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current18 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 11.7A; 51.7W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.