Антава

INFINEON

Транзистор IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
6 A
Power dissipation
53.6 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKD03N60RFATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage600 V
Collector current6 A
Power dissipation53.6 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current7.5 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.1nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time17ns
Turn-off time265ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK

Документация

Документ производителя