Антава

INFINEON

Транзистор IKB30N65ES5ATMA1

IKB30N65ES5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
39.5 A
Power dissipation
94 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKB30N65ES5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current39.5 A
Power dissipation94 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time29ns
Turn-off time154ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK

Документация

Документ производителя