Антава

INFINEON

Транзистор IKB30N65EH5ATMA1

IKB30N65EH5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
35 A
Рассеиваемая мощность
94 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKB30N65EH5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current35 A
Рассеиваемая мощность94 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time52ns
Turn-off time184ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK

Документация

Документ производителя