Антава

INFINEON

Транзистор IKB20N65EH5ATMA1

IKB20N65EH5ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
25 A
Power dissipation
62.5 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 899 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%586,94 ₽

Сумма · с НДС 22%586,94 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1586,94 ₽
от 10414,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIKB20N65EH5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current25 A
Power dissipation62.5 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time40ns
Turn-off time183ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK

Документация

Документ производителя