Антава

INFINEON

Транзистор IKB20N60H3ATMA1

IKB20N60H3ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
85 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIKB20N60H3ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность85 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time36ns
Turn-off time205ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK

Документация

Документ производителя