Антава

INFINEON

Транзистор IKB10N60TATMA1

IKB10N60TATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
18 A
Power dissipation
110 W
Корпус
D2PAK

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 437 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%560,45 ₽

Сумма · с НДС 22%560,45 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1560,45 ₽
от 10413,76 ₽
от 25344,17 ₽
от 50299,03 ₽
от 100259,54 ₽
от 125248,25 ₽
от 200235,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIKB10N60TATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current18 A
Power dissipation110 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time20ns
Turn-off time253ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK

Документация

Документ производителя