Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IKB10N60TATMA1

IKB10N60TATMA1
Type of transistor
IGBT
Technology
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
18A
Power dissipation
110W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIKB10N60TATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorIGBT
TechnologyTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage600V
Collector current18A
Power dissipation110W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current30A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time20ns
Turn-off time253ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK

Документация

Документ производителя