Антава

INFINEON

Транзистор IHW40N65R6XKSA1

IHW40N65R6XKSA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
54 A
Рассеиваемая мощность
105 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 10 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%698,48 ₽

Сумма · с НДС 22%698,48 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1698,48 ₽
от 5496,34 ₽
от 10445,80 ₽
от 30416,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIHW40N65R6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current54 A
Рассеиваемая мощность105 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge159nC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time256ns
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.