Антава

INFINEON

Транзистор IHW40N65R5XKSA1

IHW40N65R5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
152 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIHW40N65R5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность152 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge193nC
Kind of packagetube
Turn-on time59ns
Turn-off time273ns
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3

Документация

Документ производителя