Антава

INFINEON

Транзистор IHW30N65R5XKSA1

IHW30N65R5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
88 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIHW30N65R5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность88 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge153nC
Kind of packagetube
Turn-off time228ns
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3

Документация

Документ производителя