Антава

INFINEON

Транзистор IHW30N160R5XKSA1

IHW30N160R5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage
1.6 kV
Collector current
39 A
Рассеиваемая мощность
131.5 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 395 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%850,09 ₽

Сумма · с НДС 22%850,09 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1850,09 ₽
от 5676,82 ₽
от 10591,99 ₽
от 30480,09 ₽
от 120445,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIHW30N160R5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage1.6 kV
Collector current39 A
Рассеиваемая мощность131.5 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge205nC
Kind of packagetube
Turn-off time411ns
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3

Документация

Документ производителя