INFINEON

Транзистор IHW30N110R5XKSA1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.1 kV
Collector current: 60 A
Рассеиваемая мощность: 330 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IHW30N110R5XKSA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.1 kV
Collector current	60 A
Рассеиваемая мощность	330 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±25 V
Pulsed collector current	90 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	240nC
Turn-off time	350ns

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.1kV; 60A; 330W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.