Антава

INFINEON

Транзистор IHW25N120E1XKSA1

IHW25N120E1XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
92.4 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIHW25N120E1XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность92.4 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge147nC
Kind of packagetube
Turn-off time2004ns
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3

Документация

Документ производителя