Антава

INFINEON

Транзистор IHW20N65R5XKSA1

IHW20N65R5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIHW20N65R5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge97nC
Kind of packagetube
Turn-off time257ns
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3

Документация

Документ производителя