Антава

INFINEON

Транзистор IGZ75N65H5XKSA1

IGZ75N65H5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
75 A
Рассеиваемая мощность
197 W
Корпус
TO247-4
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIGZ75N65H5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current75 A
Рассеиваемая мощность197 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge166nC
Kind of packagetube
Turn-on time37ns
Turn-off time415ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4

Документация

Документ производителя