Антава

INFINEON

Транзистор IGW75N65H5XKSA1

IGW75N65H5XKSA1
Type of transistor
IGBT
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
75 A
Рассеиваемая мощность
198 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 39 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 022,55 ₽

Сумма · с НДС 22%1 022,55 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 022,55 ₽
от 5816,58 ₽
от 10719,98 ₽
от 30588,74 ₽
от 120492,14 ₽
от 240479,38 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIGW75N65H5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияTRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage650 V
Collector current75 A
Рассеиваемая мощность198 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge160nC
Kind of packagetube
Turn-on time61ns
Turn-off time215ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3

Документация

Документ производителя