INFINEON
Транзистор IGW75N60H3FKSA1
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 75 A
- Рассеиваемая мощность
- 428 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IGW75N60H3FKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 75 A |
| Рассеиваемая мощность | 428 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.